Заместитель главного редактора
113,7
рейтинг
7 августа 2013 в 07:10

Samsung представила 3D-память, Crossbar заявила о прорыве в RRAM

В понедельник представители компании «Самсунг электроникс» заявили о начале производства трёхмерных вертикальных микросхем NAND. В чипах флэш-памяти нового типа благодаря структуре из слоёв кремния достигаются лучшие характеристики в сравнении с двумерными чипами; согласно заявлению корейской компании надёжность увеличится в 2—10 раз, а производительность процесса записи — в два раза. Таким образом, «Самсунг» стала первой компанией в мире, запустившей массовое прозводство 3Д-чипов NAND-памяти.

Новая технология будет использоваться в широком круге задач, в том числе и для создания твёрдотельных накопителей объемом от 128 гигабайт до 1 терабайта. Продольная плотность записи новых микросхем составляет 128 бит, и они построены на основе технологии объемной памяти с ловушкой заряда (3D Charge Trap Flash). Обычная Charge Trap Flash впервые была представлена «Самсунгом» ещё в 2006 году.

Количество вертикальных слоёв микросхем достигает 24, но их толщина измеряется нанометрами, поэтому даже в микрометровом масштабе утолщение не будет заметно. Эксперты отмечают, что пределы количества слоёв пока неизвестны: сегодня это 24, в следующем поколении будет 32, а затем и это число увеличится.

Причины ухода в объемные слои вполне очевидны: в последнее время плоское масштабирование становится всё сложней и сложней. С уменьшением техпроцесса плоских микросхем NAND увеличивается число утечек электронов, что создаёт ошибки данных, исправить которые можно лишь добавлением новых усложнённых кодов коррекции ошибок.

В объемных чипах используется старый техпроцесс в 40 и 50 нанометров. (Для сравнения: сегодня NAND-память использует техпроцесс порядка 20 нм.) Это обусловлено минимальной толщиной изолятора между слоями, влияющей также на производительность и надёжность. И производительность представленных 3Д-чипов всё равно выше, чем у плоской 10-нанометровой NAND-памяти.

Разработка объемных чипов отняла у «Самсунга» около 10 лет, компания сделала более 300 заявок на патент по всему миру. Представители компании уверены, что новая технология открывает дорогу к терабитным чипам NAND-памяти.

В данный момент в качестве замены флэш-памяти NAND рассматриваются микросхемы на основе графена, память с изменением фазового состояния, Racetrack memory и резистивная RAM. Память последнего типа обещает представить американкий стартап Crossbar, согласно заявлениям компании, их RRAM-чипы достигнут 20-кратного превосходства в скорости записи над памятью типа NAND, а энергопотребление будет составлять лишь часть от запросов привычной флэш-памяти.



Компания из центра Кремниевой долины — города Санта-Клара — заявила, что им удалось достигнуть работоспособной «простой и масштабируемой» трёхслойной структуры, благодаря чему с использованием 3Д-технологий на одном чипе размером с почтовую марку (200 мм²) будет возможно уместить до 1 терабайта информации.

Обещаемое превосходство над сегодняшними пределами NAND-флэш велико: 20-кратное уменьшение энергопотребления, 20-кратное увеличение скорости записи, 10-кратное увеличение износостойкости при уменьшении размера чипа в два раза. Чипы памяти «Кроссбара» будут обладать легчайшей интеграцией в системы на кристалле.



Инвесторы не обошли вниманием многообещающий стартап: «Кроссбар» получил 25 млн. долларов от фондов Kleiner Perkins Caufield & Byers, Artiman Ventures и Northern Light Venture Capital. Помог этому факт того, что компания уже сумела создать рабочий прототип на производственных мощностях одного из её партнёров. Судя по как минимум трём патентам главы компании, намерения «Кроссбара» серьёзны.

Подобно флэш-памяти RRAM энергонезависима, то есть информация на ней не будет сброшена и при отсутствии питания. Согласно прогнозам компании скорость записи составит 140 МБ/с, скорость чтения — 17 МБ/с с случайной задержкой чтения в 30 наносекунд. Три слоя чипов состоят из (снизу вверх) неметаллического электрода внизу, слоя аморфного кремния и металлического электрода.

@atomlib
карма
319,0
рейтинг 113,7
Заместитель главного редактора
Реклама помогает поддерживать и развивать наши сервисы

Подробнее
Реклама

Самое читаемое

Комментарии (97)

  • +8
    Согласно прогнозам компании скорость записи составит 140 МБ/с, скорость чтения — 17 МБ/с

    Однако!
    • 0
      Это скорость чтения при случайном доступе. В таких жестоких условиях и DRAM особо много не выдаст, а скорость работы флеша будет в килобайтах в секунду измеряться. Удивляет то, что вообще ничего не говорится о том, сколько оно даёт при последовательном чтении — а это, как бы, тоже полезный параметр.
      • +2
        Я тоже предположил, что скорость чтения при случайном доступе, но неужели скорость записи при случайном доступе может быть почти в 10 раз быстрее, чем скорость чтения?
        • +8
          Зависит от алгоритмики, но в общем виде записать данные — проще чем считать. Особенно при случайном доступе. Записть выглядит так:
          seek freespace block — write data to freespace block — repeat if has unwritten data.
          А чить — так:
          seek — read — repeat причем поисков в разы больше
          Это происходит всвязи с встроенным автодефрагом почти всех ССД, данные в памяти лежат относительно кучно, поэтому найти блок как раз под записываемый кусок информации — как нефиг, а вот при чтении поискать нужно что читать.
          • 0
            Почем же тогда на USB флешках наблюдается обратная картина — чтение быстрее, чем запись?
            • +2
              Как алгоритмику настроишь так и будет. Но кстати это самое в десять раз делается пока только описанным способом, то есть контроллер диска постоянный дефраг гонит или ремап. И что соссем странно эту алгоритмику с автоподжимом данных после записи на работающем харде в приложении к ССД я не видел :(
              Я даже както задумался, перерыл интернет слегка, по мере сил в середине рабочего дня и… не нашел написанных цифр.
              И еще. Восторг условен. Оцените скорости последних ентерпрайзовых ССД:
              www.intel.com/content/www/us/en/solid-state-drives/solid-state-drives-ssd.html
              то есть либо указана скорость отдельно взятого тестового чипа, то ли цифры с потолка.
              Частично они есть тут: www.crossbar-inc.com/assets/img/media/Crossbar-RRAM-Technology-Whitepaper-080413.pdf — но 140 метров в секунду уже никого не удивят. Разве что копейки совсем стоить будет :)
  • +4
    Лет пять — семь назад было очень популярны статьи про новшества в железе. Сейчас уже смотришь как на естественный ход событий.
    • +6
      Только некоторые технологии все никак не дойдут до потребителя (уже сколько лет пишут про прорывы в аккумуляторах). Интересно через сколько времени увидим потребительские устройства основанные на представленных в статье технологиях.
    • +3
      Жесткие диски почти перестали расти в объемах информации. Начал смотреть на каждое новшество в системах хранения информации как на чудо (так как физические пределы плотности не за горами).
      • +4
        А производителям ЖД уже нет смысла что-то допиливать для увеличения ёмкости. Во-первых предел близок, во-вторых все прекрасно понимают, что механика уходит, и осталось ей не долго. Так что будут штамповать их по отлаженной технологии, пока есть спрос за счёт более выгодной цены.
        • +1
          Не долго, каких-то лет 20-30...? Если вы почитаете о том, чем заняты разработчики винчестеров, то поймёте, что технологические разработки весьма активно продолжаются.
  • +18
    >Таким образом, «Самсунг» стала первой компанией в мире, запустившей массовое прозводство 3Д-чипов NAND-памяти.

    Таким образом, «MyCompany» стала первой компанией в мире, запустившей массовое прозводство «my unique product».

    Как мне нравятся эти шаблоны ))
    • +1
      Тут не совсем my unique product, тут скорее first new wide used technology product
    • +1
      Фраза хорошо составлена. Попробуйте сказать тоже самое по-другому.
      • +1
        Фраза отличная, не спорю. Но шаблонностью отдает за версту. То же можно сказать о любой компании, запустившей производство собственной технологии — естественно, что компания, разработав технологию, будет стараться запустить ее в производство сама для получения максимальной прибыли.
        • +1
          Это просто перевод пресс-релиза, там так и написано.
          Штука в том, что многие (ну как многие, там их всего 5 штук) компании были (почти) готовы запустить 3Д чипы. Но первыми это сделали именно в Самсунге
  • +9
    Когда же мы доживем до этих инноваций в супер памяти, супер батарейках, супер процессоров?
    • +19
      Я и сейчас считаю, что у меня в смартфоне супер-память, супер-батарейка и супер-процессор. Люди, вспомните, что было 10 лет назад.
      • +6
        Ну насчет супер батарейки я бы не был таким уверенным.
        • +11
          Ну не знаю. Батарея, которая минимум 4 часа держит компьютер с фуллхд экраном, двухъядерным процессором, видеоускорителем и беспроводными интерфейсами, имеющая размеры спичечного коробка и количество циклов перезарядки, достаточное, чтобы пережить сам телефон. По мне, так это сложно сравнивать с тем, что было 10 лет назад.
          • +12
            Держит 4 часа благодаря прогрессу железа а не аккумуляторов.
            • 0
              Разумеется, но всё равно, вспомните характеристики аккумуляторов 10-летней давности.
              • +10
                Что не так было с характеристиками Li-ion 10 лет назад? У m55 допустим был 700mAh аккумулятор, по объему и весу на глаз ничем не отличается от современного. Я конечно не говорю, что совсем никакого развития аккумуляторов нету, но на фоне других частей электронных приборов оно меркнет.
                • +1
                  То есть в три-четыре раза большая емкость при тех же размерах и много большее количество циклов перезарядки при более интенсивных нагрузках для вас не являются прогрессом?
                  • +2
                    В три-четыре?? Пруф пожалуйста.
                    • +1
                      Только контрпруф.
                      У меня вот сейчас в кармане как раз лежит м55 купленный в 2003-м году и не переживший ни одной смены батареи. В детстве он спокойно жил по две три недели на 700мА банке и не жужжал. Я его заменил в 2009-м по глупости на Нокию5130, которая посмела развалится и начать тянуть теже два дня уже в 2011-м (то есть она догнала то убитости аккума того кого заменила причем всего за два года, схема обращения у меня одинаковая с телефонами). Сейчас всвязи с отказом тача с штатном телефоне (х622) расконсервировал м55. По извлечению из ящика воткнул в него симку, зарядил, второй день хожу, звоню. Страшно конечно что батарея может отвалится непредсказуемо, по вроде работает.
                      Так вот. то ли фигня какаято с архитектурой и компоновкой телефонов, то ли с качеством батарей. и да. взял пружинку (весов на момент написания ответа не нашлось). Батарейку от м55(700) и батарейку от х622(2400) — разница почти в три раза по растяжению, с одной поправкой. Всетаки в батарее м55 есть контроллер, а у х622 тупая банка.
                      В общем современные аккумы в сотовых по циклам перезарядки не торт.
                      P.S.: У супруги также сдох тач в х622 (брали вместе — видать парная болячка партии), у нее валялось пара старых нокий сходного времени выпуска (2004-го и 2010-го соответственно). В общем угадайте какая из них таки завелась а какая нет? Для недогадливых подсказываю. Завелась как раз 2004-го, а в «новой» толи аккум ошел в отказ, толи с контроллером питания фигня случилась.
                      Так что про ресурс бабка на двое сказала. У новых аккумов пиковая мощность отдачи выше, а вот про ресурс такого сказать не могу.
                    • +1
                      Пруф емкости 2100?
                      image
                      Или вы именно для m55 хотите? Не совсем понял.
                      • +1
                        Я ниже привел фотографию, процентов на 50 точно стали аккумуляторы более емкие, но конечно не 3-4 раза.
                        • +1
                          Просто комменты одновременно написали. Я уже понял, что речь про m55-size.
                • +2
                  Да ничего особенного, масса и габариты :)
                  В форм-факторе m55 современный аккум будет примерно 1000-1200 мАч.
                  Это на сколько я его помню. Тогда он маленький казался, сейчас аккум на 800 мАч (передо мной) явно меньше.
                  • +3
                    А Вы правы. Сравнил аккумы от m55 2003 г. и от Samsung B2100 2009г. При идентичных габаритах у самсунга 1000 мАч против 700 у м55.

                    Если еще экстраполировать прогресс к текущему времени то получим ~50% повышения емкости, очень неплохо, не ожидал.
                    • +3
                      Во как, «на глаз» прикинул, по памяти :)
                      Но, глядя на прогресс на фоне остальной электроники это конечно не много.
          • +1
            Что такое 4 часа? Это катастрофически мало! Да что тут говорить — даже 10 часов недостаточно.
            Зачем тогда все эти сверх технологии, если они работают столь непродолжительное время?
            • +4
              Еще несколько лет назад ноутбуки дохли после просмотра 1 фильма. А еще за несколько лет до этого кино можно было посмотреть только от розетки.
      • +1
        А моя бабушка за водой ходила с коромыслом в свое время.
        • +7
          В деревнях и сейчас за водой к колодцу ходят, а вот в городах и тогда из крана воду наливали. Не путайте географию и время.
          • 0
            Ну во-первых, во многих деревнях центральной части России водопровод провели все ж таки.
            Во-вторых, комментарий мой не про то в каких деревнях как воду добывают.

            Я хотел сказать, что многим не нужны новомодные штучки дрючки, конечно, но это свойственно не для всех. Многим мало того, чего хватало 10 лет назад.
          • 0
            А у меня из крана нефть течёт.
  • +5
    Прочитал имя Автора — задумался.
    • +5
      Все его статьи сопровождаются таким комментарием.
  • +2
    А как там с отводом тепла у Самсунговской памяти?
    • +1
      У флеш памяти нет проблем с отводом тепла.
      Более того, при правильном отжиге можно восстановить часть «умерших» битов
      • +1
        Это у той флеш, которую вы в обычных ССД видите нет проблем. Там один die и делов то (и то, прикоснитесь к накопителю и почувствуете, что он нагрелся). А тут их несколько вместе.
        • +1
          Для увеличения времени жизни NAND чипов некоторые горячие головы предлагают встраивать систему локального отжига до 800 С прямо в чипы .

          Греется (и ломается от этого) там логика, но с случае с 3D NAND и это не проблема.
          • +1
            А NAND по вашему из чего сделан?
            Из каких то других материалов? Контакты между транзисторами сделаны из тех же металлов, что и в логических схемах.

            Дайте 800 градусов NAND и у вас в руках вместо NAND будет бесполезный кусок того, что когда то было NAND.
            • +1
              Поверьте, после 7 лет моделирования технологических процессов в полупроводниковом производстве и неплохо знаю, из чего состоит транзистор (что логический, что ячейка CTF памяти).
              Речь шла, конечно, о локальном отжиге (парсер съел ссылку)

              Но тем не менее: тепловыделение не является проблемой для этой технологии, вообще — cейчас у коллеги специально спросил (я все больше логикой занимаюсь, так что конкретных цифр не знаю наизусть).
              • +1
                Я нисколько не сомневался, что вы знаете из чего состоит транзистор, а из чего bit cell.
                Сейчас, в обычных 2D схемах разумеется нет проблемы с выделением тепла.
                Потому-то я и задаю свой вопрос, как с этим борются в 3D схемах (как я понял, самсунг сделал 1 die в 24 слоя).

                • +1
                  В NVM проблема тепловыделения не стоит так остро, потому что нет постоянного переключения, как в SRAM, DRAM или логике.
                  Есть прототипы сверхнадежных SSD, которые «лечат» сами себя, проводя отжиг отдельных блоков при температурах около 200 С (отжигают часами). Лимитирует тут только температура плавления припоя — сами ячейки будут жить и и при гораздо больших температурах (см. ссылку выше)
                  • +1
                    А вы представьте себе запись большого объема данных, то сразу возникает вопрос, как отведут тепло. А если идет постоянная запись-перезапись?
                    • +1
                      Да, представляю. Тепло не является лимитирующим фактором. Все прекрасно отводится. Слоев 24 не потому что греется, а потому что дырки травить сложно и дорого.

                      В PRAM ячейка вообще плавится при переключении, и ничего, все работает (хотя технология и мертворожденная).
                      • +1
                        Мне кажется, что 24 слоя не потому, что дырки травить сложно и дорого, а потому, что чем длиннее вертикальная цепочка транзисторов, тем больше слоев нужно. В этом то и вся идея 3D компоновки. TSV используется тогда, когда вам нужно взять и соединить два разных die во многоэтажную конструкцию. В данном случае это совершенно ненужно.
                        • +1
                          К слову, подумалось — вот интересно, вертикальные транзисторы скоро объявят?
                          • +1
                            хм… тут ниже про них уже спорят…
  • +2
    новая технология открывает дорогу к терабитным чипам NAND-памяти


    И уже скоро будут говорить: «Два терабайта оперативки в телефоне? Фи, да этого даже на браузер не хватит».
    • +2
      А причем здесь оперативка?
      • +2
        Сегодня NAND, завтра оперативка.
        • +1
          А завтра весь мир!
          • +2
            Послезавтра. Завтра же оперативка. Забыли?
    • +2
      Надеюсь, что будет возможно создавать память таких объемов… Но также надеюсь, что браузеры не будут жрать столько оперативки! )
  • +2
    Господи, ну наконец-то грядёт вменяемая альтернатива ЖД по цене, скорости и надёжности. Глядишь, через пяток лет мне удастся избавиться от нескольких террабайт крутящихся дисков.
    • +2
      Да она уж давно грядёт, да никак не нагрядёт… :)
      (имею ввиду полную замену, а не частичную, как ssd)
  • +2
    "… стековая сборка из кристаллов придумана и реализована не сегодня и не вчера. Она реально используется более 10 лет. Та же компания Samsung, как и бывшая Elpida, представляли сборки с числом кристаллов в стеке свыше 10 штук. Сегодня стек из двух-четырёх кристаллов — это повсеместное явление. В вертикальных соединениях тоже нет ничего принципиально нового..."

    Взято отсюда.
    • +13
      Есть ньюансы — раньше кристаллы ставили стопочкой со сдвигом, а сейчас — соединения прямо через толщу кристалла, насквозь.
      Это так называемые through-silicon-via.

      Такой способ соединения радикально сокращает длину проводников — а значит все может работать быстрее и меньшими затратами энергии.

      Update: Вот примерно такой бутерброд был раньше:
      • +2
        TSV тоже давно появились
        • +1
          В крупносерийных продуктах её особо не видно было, или я что-то упускаю…
          То, что в лабах давно мучали — это понятно.
          • +2
            Ну вот как оценить когда появились TSV в памяти, не заглядывая внутрь каждой новой ревизии микросхем? Samsung сделала (вероятно проплаченный) вброс в СМИ, чтобы обратить на себя внимание. Я думаю, что Micron уже относительно давно использует TSV. Micron в отличии от Samsung не далает громких заявлений, выпускает пресс-релиз о новом продукте, а там уж как пойдет. Например, Micron без особой шумихи запустила массовое производство чипов памяти с изменением фазового состояния и уже сейчас их можно купить, тоже самое с RLDRAM и DDR4 SDRAM.
      • +3
        Как мелкие элементы литографией делают — я понимаю. Как они эти малюсенькие проводки приваривают автоматически и не замыкая???
        • +1
          Они не такие уж маленькие. Между ними 50-100 мкм.
        • +8
    • +2
      3D NAND и TVS это сильно разные технологии. Как размеры так и плотность дырок совершенно разные.
      Это принципиально трехмерная структура, а не стек.
      • +1
        Тем не менее в своём официальном пресс-релизе Samsung говорит о стеке (stack) 24-х слоёв.

        Какой-нибудь пруфлинк отличия используемых переходных отверстий 3D NAND и TSV в студию.
        • +2
          Я знаю, я читал этого релиз до того как он появился на EETimes.
          Пресс релиз не очень хороший, на мой взгляд, потому что он содержит смесь из профессионального сленга и упрощенных и не совсем точных объяснений принципов работы (впрочем, в кратком пресс-релизе сложно все корректно описать).
          Я пожалуй напишу про эту технологию, потому что это самый большой прорыв за последние лет 5.
          • +1
            «самый большой прорыв» среди каких технологий?
            • +1
              Полупроводниковых.
              В 2011 году Интел представил по-настоящему трехмерный логический транзистор, но даже по сравнению с этим Vertical NAND, на мой взгляд, более инновационное изменение техпроцесса.
        • +1
          А где вы прочитали как именно устроен самсунговский 3D NAND?
          Насколько я понял из релиза, то это не несколько dies, а один, но 24 слоя. Зачем там тогда TSV?

          • +1
            Приведу такую цитату из пресс-релиза:

            "...company's proprietary vertical interconnect process technology can stack as many as 24 cell layers vertically, using special etching technology that connects the layers electronically by punching holes from the highest layer to the bottom..."

            В моём понимании TSV — это любой вариант соединения слоёв микросхемы между собой через отверстия в этих слоях. Про single die я ничего не нашел, вообще слово die не встречается в тексте пресс-релиза.
            • +1
              Нет, вы не совсем правильно понимаете: TSV процесс подразумевает соединение нескольких подложек, на каждой из которых сделан свой слой транзисторов (пямять, логика, и тп).
              Принципиальное отличие Vetrical NAND в том, что трехмерная структура делается из одной подложки.
              Ну и характеристики дырок, которые делаются (диаметр, aspect ratio) несколько разные.

              Кроме того, если говорить о V NAND, то в нем транзисторы расположены горизонтально, а не вертикально, как было бы при интеграции обычным TSV методом.
              • +1
                В TSV транзисторы вертикальны? Разве не наоборот?

                >>Принципиальное отличие Vetrical NAND в том, что трехмерная структура делается из одной подложки.
                Тогда в чем достижение? в 24 слоях?
                • +1
                  TSV это просто, условно, провода, которые соединяют микросхемы, но идут не от края чипа, как обычно, а через него. Они толстые (микроны) и у них aspect ratio порядка 10+. В вертикальных NAND размеры нанометровые.

                  Достижение в том, что это радикальная смена дизайна ячейки, который мало менялся за последние 20 лет.
                  • +1
                    Я знаю что такое TSV, что такое flipchip и прочие вещи.
                    >>В вертикальных NAND размеры нанометровые
                    нанометровые размеры чего?
                    Если это один ide, нафига там TSV? Какое отношение TSV имеет к 3D NAND?
              • +2
                Т.е. V NAND это вертикальные транзисторы, в 24 слоя в высоту (скажем по 3 слоя на тразистор, плюс изоляция). Т.е. транзисторы действительно «выращены» вертикально, такие цепочки транзисторов в высоту.
                Грубо говоря, если сейчас NAND это ящик бутылок (горлышками вверх), то V NAND это поставить ящик на бок, и так с таких ящиков сделать квадрат из 25 ящиков (5*5).
                Да?

                • +2
                  Да, примерно так.
                  Если раньше был огромный ящик с бутылками, то его сначала разделили на секции 24*24, и каждую из них поставили на попа и придвинули друг к другу.
                  Только из-за того, что это не Floating gate, а charge trap flash, вместе бутылок в ящиках консервные банки (и ящики из-за этого низкие), поэтому они стали занимать гораздо меньше места после такой операции.
                  • +1
                    Ок, спасибо, теперь понятно. Только вот откуда вы знаете, что это вертикально выращенные транзисторы?
                    • +2
                      Там все несколько сложнее.
                      Я постараюсь написать обзор в ближайшее время по опубликованным данным.
                    • +2
                      image

                      Вот тут собственно показано как устроена подобного вида память
  • +1
    Первый раз про 3д-накопители («вот-вот скоро выпустим») прочитал еще лет 10 назад, наверное. Обещали терабайты по скромной цене. Устал ждать — уже и обычные накопители давно достигли терабайтов, а обещанных «3д» все нет и нет…
  • +3
    Я, конечно, могу ошибаться, но по-моему это просто многокристальная сборка из 24х чипов, поэтому утверждение в статье о толщине слоев, измеряющихся нанометрами, выглядит спорным.
  • +2
    Если смотреть перспективно, то тенденция очень многообещающая. Сначала отладят техпроцесс на сравнительно простых регулярных конструкциях вроде массивов памяти, доведут количество слоёв до десятков и сотен. Потом подтянутся разработчики вычислительных кристаллов и всяких asic'ов, допилят алгоритмы синтеза чипов с трёхмерной топологией. Решат проблему с пространственным охлаждением (были всякие новости с охлаждающими каналами и проч.) А там, глядишь, получится делать оптимальные процессоры не плоскими, а объёмными, с теми же порядками количества транзисторов в глубину, что и на плоскости. А это на порядки большая производительность и неограниченные топологические возможности. С какой то стороны именно объёмная компоновка элементов определяет огромную разницу в чистой производительности нейронов мозга и плоских чипов.
    • +2
      Все-таки для этого нужен качественный скачок. Вы не сможете склеить ~30 тысяч чипов, и тем более не сможете утонить их до приемлемой толщины. К тому же, разводка through silicon via позволяет создавать только очень ограниченное количество межсоединений.
      • +1
        Насколько я понимаю, они не склеивают чипы, а формируют слои на одной подложке, друг на друге. Это видно на картинке с электронного микроскопа.
        … Samsung said the increase «is negligible compared to the most up-to-date planar NAND flash memory chip» — less than a few microns in terms of height increase.

        На 16 слоёв несколько микрон. Толщина порядка единиц миллиметров (на несколько тысяч слоёв), думаю, вполне приемлема. Качественность и количественность — довольно размытые характеристики скачков. С огромным рынком в качестве двигателя, технология будет стремиться к количественному развитию, а технологические проблемы, которые будут неизбежно возникать и постепенно решаться, через множество итераций сложатся в тот самый качественный скачок.
        • +2
          На картинке вы видите фотографию с сайта Crossbar. К самсунговской памяти она не имеет никакого отношения. К Кроссбаровской, в общем-то тоже, потому что так выглядит любой чип на срезе — это межсоединения.

          «Less than a few» допускает очень гибкую интерпретацию. 10 — вполне себе «less than a few». Утонение до 10 вполне реализуемо. Тут где-то проскакивала ссылка на людей, которые отклеивали функциональный слой от SOI пластин. Как раз будут единицы микрон.

          Транзисторы друг над другом растить весьма проблематично — невозможен эпитаксиальный рост и температуры процессов слишком высоки для металлов. Клеить тонкие слои кремния и делать smart-cut тоже не так просто; насколько мне известно, с этим возились в Стэнфорде. Возможно у Самсунга что-то похожее.
          • +1
            Процесс со smart-cut примерно такой. Ни о каких десятках тысяч (и даже просто сотнях) слоев тут речи быть не может. Самсунг, скорее всего, использует более простой процесс с классическим утонением с задней стороны, потому что им для флеша такая плотность межсоединений не нужна.
        • +1
          Толщина порядка единиц миллиметров (на несколько тысяч слоёв), думаю, вполне приемлема.


          Да хоть чип объёмом 1м2, жрущий пару АЭС и испаряющий океан. Если сэмулирует работу человеческого головного мозга в реалтайме — пожалуйста. :-)
      • +2
        И именно поэтому технология 3D NAND так интересна — это НЕ стек чипов и имеет мало общего с TSV
        • +1
          Я правильно понимаю, что канал в таком случае не может быть эпитаксиальным и его приходится делать из поликремния?
          • +1
            Пока без комментария, там очень много вариантов и все очень секретно.
            Я постараюсь на неделе почитать опубликованную литературу и написать обзор по открытым данным.
  • +1
    Micron и Toshiba тоже готовят 3D NAND к запуску в ближайшее время. И в дополнение сравнение технологий 3D памяти.

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.