Пользователь
0,0
рейтинг
22 ноября 2011 в 11:41

Биполярные транзисторы. For dummies

Предисловие


Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах.

Транзистор, как и диод, основан на явлении p-n перехода. Желающие могут освежить в памяти физику протекающих в нем процессов здесь или здесь.

Необходимые пояснения даны, переходим к сути.

Транзисторы. Определение и история


Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. (tranzistors.ru)

Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике.

Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.

Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала.

В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) — или электроны, или дырки.

Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой.

И, напоследок: основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Основные характеристики



Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.

Прежде, чем рассматривать физику работы транзистора, обрисуем общую задачу.

Она заключаются в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток (ток коллектора), а между эмиттером и базой — слабый управляющий ток (ток базы). Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Почему?
Рассмотрим p-n переходы транзистора. Их два: эмиттер-база (ЭБ) и база-коллектор (БК). В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй — с обратным смещениями. Что же при этом происходит на p-n переходах? Для большей определенности будем рассматривать n-p-n транзистор. Для p-n-p все аналогично, только слово «электроны» нужно заменить на «дырки».

Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. А теперь следите за руками. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу. Еще раз: сильное изменение тока коллектора является пропорциональным отражением слабого изменения тока базы.

Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Вода в нем — ток коллектора, а управляющий ток базы — то, насколько мы поворачиваем ручку. Достаточно небольшого усилия (управляющего воздействия), чтобы поток воды из крана увеличился.

Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений. Например, при сильном увеличении напряжения на переходе база-коллектор может начаться лавинное размножение заряда из-за ударной ионизации. А вкупе с туннельным эффектом это даст сначала электрический, а затем (с возрастанием тока) и тепловой пробой. Однако, тепловой пробой в транзисторе может наступить и без электрического (т.е. без повышения коллекторного напряжения до пробивного). Для этого будет достаточно одного чрезмерного тока через коллектор.

Еще одно явления связано с тем, что при изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах меняется их толщина. И если база черезчур тонкая, то может возникнуть эффект смыкания (так называемый «прокол» базы) — соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает, и транзистор перестает нормально работать.

Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h21. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается.

Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления.

Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер-коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. Поскольку первая величина обычно очень большая (единицы и десятки вольт), а вторая — очень маленькая (десятые доли вольт), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению.

Также транзисторы имеют частотную характеристику, которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления. Дело в том, что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления снижается. Это происходит из-за того, что время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать. Частота, на которой это происходит, и называется граничной.

Также параметрами биполярного транзистора являются:
  • обратный ток коллектор-эмиттер
  • время включения
  • обратный ток колектора
  • максимально допустимый ток


Условные обозначения n-p-n и p-n-p транзисторов отличаются только направлением стрелочки, обозначающей эмиттер. Она показывает то, как течет ток в данном транзисторе.

Режимы работы биполярного транзистора


Рассмотренный выше вариант представляет собой нормальный активный режим работы транзистора. Однако, есть еще несколько комбинаций открытости/закрытости p-n переходов, каждая из которых представляет отдельный режим работы транзистора.
  1. Инверсный активный режим. Здесь открыт переход БК, а ЭБ наоборот закрыт. Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко.
  2. Режим насыщения. Оба перехода открыты. Соответственно, основные носители заряда коллектора и эмиттера «бегут» в базу, где активно рекомбинируют с ее основными носителями. Из-за возникающей избыточности носителей заряда сопротивление базы и p-n переходов уменьшается. Поэтому цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки.
  3. Режим отсечки. Оба перехода транзистора закрыты, т.е. ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается. Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи.
  4. Барьерный режим В этом режиме база напрямую или через малое сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор. Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзисторов.


Схемы включения биполярных транзисторов



Поскольку контактов у транзистора три, то в общем случае питание на него нужно подавать от двух источников, у которых вместе получается четыре вывода. Поэтому на один из контактов транзистора приходится подавать напряжение одинакового знака от обоих источников. И в зависимости от того, что это за контакт, различают три схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). У каждой из них есть как достоинства, так и недостатки. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какими можно поступиться.

Схема включения с общим эмиттером


Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной. Здесь переход эмиттер-база включается прямо, а переход база-коллектор — обратно. А поскольку и на базу, и на коллектор подается напряжение одного знака, то схему можно запитать от одного источника. В этой схеме фаза выходного переменного напряжения меняется относительно фазы входного переменного напряжения на 180 градусов.

Но ко всем плюшкам схема с ОЭ имеет и существенный недостаток. Он заключается в том, что рост частоты и температуры приводит к значительному ухудшению усилительных свойств транзистора. Таким образом, если транзистор должен работать на высоких частотах, то лучше использовать другую схему включения. Например, с общей базой.

Схема включения с общей базой


Эта схема не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на высоких частотах, поскольку позволяет более полно использовать частотную характеристику транзистора. Если один и тот же транзистор включить сначала по схеме с общим эмиттером, а потом с общей базой, то во втором случае будет наблюдаться значительное увеличение его граничной частоты усиления. Поскольку при таком подключении входное сопротивление низкое, а выходное — не очень большое, то собранные по схеме с ОБ каскады транзисторов применяют в антенных усилителях, где волновое сопротивление кабелей обычно не превышает 100 Ом.

В схеме с общей базой не происходит инвертирование фазы сигнала, а уровень шумов на высоких частотах снижается. Но, как уже было сказано, коэффициент усиления по току у нее всегда немного меньше единицы. Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме с общим эмиттером. К недостаткам схемы с общей базой можно также отнести необходимость использования двух источников питания.

Схема включения с общим коллектором


Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.

Напомню, что отрицательной называют такую обратную связь, при которой выходной сигнал подается обратно на вход, чем снижает уровень входного сигнала. Таким образом происходит автоматическая корректировка при случайном изменении параметров входного сигнала

Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький (основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц.

В схеме с общим коллектором фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным — потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.

Такое включение используют для согласования транзисторных каскадов или когда источник входного сигнала имеет высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон).

Два слова о каскадах


Бывает такое, что нужно увеличить выходную мощность (т.е. увеличить коллекторный ток). В этом случае используют параллельное включение необходимого числа транзисторов.

Естественно, они должны быть примерно одинаковыми по характеристикам. Но необходимо помнить, что максимальный суммарный коллекторный ток не должен превышать 1,6-1,7 от предельного тока коллектора любого из транзисторов каскада.
Тем не менее (спасибо wrewolf за замечание), в случае с биполярными транзисторами так делать не рекомендуется. Потому что два транзистора даже одного типономинала хоть немного, но отличаются друг от друга. Соответственно, при параллельном включении через них будут течь токи разной величины. Для выравнивания этих токов в эмиттерные цепи транзисторов ставят балансные резисторы. Величину их сопротивления рассчитывают так, чтобы падение напряжения на них в интервале рабочих токов было не менее 0,7 В. Понятно, что это приводит к значительному ухудшению КПД схемы.

Может также возникнуть необходимость в транзисторе с хорошей чувствительностью и при этом с хорошим коэффициентом усиления. В таких случаях используют каскад из чувствительного, но маломощного транзистора (на рисунке — VT1), который управляет энергией питания более мощного собрата (на рисунке — VT2).


Другие области применения биполярных транзисторов


Транзисторы можно применять не только схемах усиления сигнала. Например, благодаря тому, что они могут работать в режимах насыщения и отсечки, их используют в качестве электронных ключей. Также возможно использование транзисторов в схемах генераторов сигнала. Если они работают в ключевом режиме, то будет генерироваться прямоугольный сигнал, а если в режиме усиления — то сигнал произвольной формы, зависящий от управляющего воздействия.

Маркировка


Поскольку статья уже разрослась до неприлично большого объема, то в этом пункте я просто дам две хорошие ссылки, по которым подробно расписаны основные системы маркировки полупроводниковых приборов (в том числе и транзисторов): http://kazus.ru/guide/transistors/mark_all.html и файл .xls (35 кб) .

Список источников:
http://ru.wikipedia.org
http://www.physics.ru
http://radiocon-net.narod.ru
http://radio.cybernet.name
http://dvo.sut.ru

Полезные комментарии:
http://habrahabr.ru/blogs/easyelectronics/133136/#comment_4419173
@AveNat
карма
180,0
рейтинг 0,0
Реклама помогает поддерживать и развивать наши сервисы

Подробнее
Реклама

Самое читаемое

Комментарии (26)

  • +2
    Бывает такое, что нужно увеличить выходную мощность (т.е. увеличить коллекторный ток). В этом случае используют параллельное включение необходимого числа транзисторов.

    Все же в случае с биполярными транзисторами так делать крайне не рекомендуется. ( в отличии от полевых, где такое включение используется гораздо шире)
    Резисторы в цепи эмиттера балансные, служат для балансировки транзисторов по току. Без них включать крайне глупо, т.к. в результате перекоса вылетит сначала 1 транзистор а потом оставшийся в одиночестве не справится с возросшей нагрузкой.

    я думаю это можно добавить к статье.
    • 0
      Первый абзац цитата из раздела «Два слова о каскадах»
    • +1
      Я вот тоже читал, хотел к чему-нибудь придраться… а особо не к чему :)
      Хорошая статья!
      • +1
        это не придирка, а небольшое уточнение
        мне бы такая статья помогла в студенческие годы

        Вот пара картинок того же времени

    • 0
      Спасибо за замечание, добавила в статью.
  • –4
    Немного не понял в чём прикол. Это первый-второй курс любого вуза, где проходят электронику. Книг и статей на эту тематику сотни. Даже на Википедии есть хорошая страничка.
    Следует ли ждать дальнейших публикаций из курса общей физики и тривиальной электроники?

    П.С. Минусовать не буду, так как написано хорошо. Но вопрос — место ли этому тут?
    • +5
      Мне это интересно так как в вузы не пошёл. По немножку увлекаюсь электроникой и часто приходистя лазать по интернету собирая информацию. Тут вся информация собрана в одном месте что приятно. Так что по моему смысл есть.
    • +8
      Не все технические вузы заканчивали. Да и школьники хабр читают.
      Я считаю, что если хоть одному человеку статья поможет в чём-то разобраться — она написана не зря.
    • +1
      Я давно мечтал заняться электроникой на любительском уровне, но помню, как в детстве не мог разобраться с такими базовыми принципами и потому считал все это требующим погружения в занудную математику и физику. Тут легким языком основные принципы, и вот уже руки чешутся что-нибудь попробовать (паять я как раз умею — отец-электронщик научил). Считаю, что место. Учебники, на мой взгляд, слишком ориентированы на будущих профессионалов.
      • +1
        Точнее — для меня учебники слишком ориентированы на будущих профессионалов. Для них-то учебники, возможно, идеальны.
    • +1
      «Вот она, вот она, ...» © статья моей мечты.

      Паяю на уровне любителя, как хобби. Много статей читал про транзисторы, вроде, и понятно, и не понятно. Просто собирал схемы да и все. Здесь материал подан очень хорошо. И да, мне интересно! Я хотел учиться на радиолюбителя (-паятеля=) ), а стал программистом. Так бывает.

      «Обозначается оно h12э.» Цифры, вроде, наоборот должны быть.
      • +1
        Ксо! >_< Вычитывала, вычитывала — и на тебе! Спасибо, сейчас поправлю.
        • +1
          Учиться никогда не поздно. Пишите еще статьи! Мне интересны именно азы, ибо в готовых схемах зачастую описания скудны, итог — не понятен принцип работы. Хотя истинная причина — в отсутствии базовых знаний.
      • +5
        > Цифры, вроде, наоборот должны быть.

        На самом деле существует аж четыре параметра: h11, h22, h12, h21. Они взяты из эквивалентной схемы транзистора в виде четырехполюсника. Представляют собой коэффициенты матрицы, связывающей между собой входные и выходные токи и напряжения.
        h21 — это коэффициент усиления по току,
        h12 — величина, обратная коэффициенту усиления по напряжению,
        h11 — входное сопротивление,
        h22 — выходная проводимость.

        Буква «Э» означает, что это коэффициенты для схемы с общим эмиттером.
        Подробнее здесь: dssp.petrsu.ru/book/chapter5/part17.shtml
  • 0
    Повторение — мать учения! Спасибо, вспомнил хоть что-то.)
    • +1
      На здоровье! Честно говоря, в процессе написания статьи у меня самой произошло значительное упорядочение знаний по теме.
  • +1
    Вольный пересказ «Основы схемотехники»?
    А вообще — здорово: современных популяризаторов очень не хватает. Спасибо.
    • 0
      Статья сдула весь налет таинственности и магии в работе нечистого на душу устройства.
  • 0
    Спасибо за статью!
    Ждем про полевые транзисторы… :)
  • +1
    Жаль, что в 1996-м году небыло Хабра. Предмет «радиоэлектроника» я бы сдал с гораздо меньшими потерями нервов, времени, и самооценки…

    Большая часть моих одногруппников окончила электротехнический техникум, специальность «выч.машины, системы, комплексы, сети» так и не поняв принцип действия транзистора, и имея отдаленное представление что такое компьютер.
  • 0
    Отличная статья! Никогда не мог понять транизистор, электротехникой не увлекался!
  • 0
    "Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению. Он равен отношению переменного напряжения эмиттер-коллектор к переменному напряжению база-эмиттер. Поскольку первая величина обычно очень большая (единицы и десятки вольт), а вторая — очень маленькая (десятые доли вольт), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. "

    Правильно ли я интерпретирую это высказывание, делая вывод что зависимость между напряжением Э-К и Б-Э линейная? То есть условно Uэк=k*Uбэ (Э-К — эммитер-коллектро, Б-Э — база-эмммитер, k-коэффициент усиления по напряжению). Нутром чую, что не всё так просто, но хотелось бы авторитетного мнения.

    Просто не до конца понятно, даже если читать далее по тексту:
    "Также транзисторы имеют частотную характеристику, которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления. "
    Вот здесь что имеется ввиду под частотой сигнала. Какого сигнала? Частота переменного тока имеется ввиду?
    Заранее благодарю за ответ.
    Статья хорошая, да.
    • 0
      По первому вопросу: действительно, не совсем понятно написала. Коэффициент усиления по напряжению — это отношение амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер-коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. Для каждого управляющего сигнала базы он свой, т.е. говорить о линейной зависимости нельзя.

      Поправила статью, чтобы было понятнее.

      По второму вопросу: нельзя отделить ток от напряжения. Поэтому не получится подать на базу только что-то одно из них. Вот почему употребляется общее слово «сигнал».
  • 0
    хорошо написано. в свое время не мог понять смысл разных схем включения
  • 0
    А расскажите про H- мосты. В частности интересуют самые простые, которые можно подключить напрямую к микроконтроллеру, на MOSFET IRL серии например.
  • 0
    Благодаря тому, что в инверсном режиме включения коэффициент усиления биполярного транзистора меньше, чем в прямом включении, можно с помощью обычного тестера полностью определить цоколевку совершенно незнакомого транзистора (при известной сноровке не нужны даже никакие дополнительные компоненты — только транзистор и тестер, включенный в режим измерения сопротивлений). Т. е. можно отличить коллектор от эмиттера. База, само собой, определяется легко — простой прозвонкой переходов постоянным током.

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.