Редактор «Гиктаймс»
648,3
рейтинг
24 июня 2014 в 17:03

Вакуумный транзистор сможет преодолеть рубеж 1 ТГц

Во второй половине 20 века кремниевые транзисторы (MOSFET) полностью заменили радиолампы в электронных устройствах. Это вполне естественно, учитывая многочисленные преимущества полупроводников: миниатюрность, дешевизна, эффективность, прочность, надёжность, и самое главное — эффективный техпроцесс химического вытравливания транзисторов в интегральных схемах. Технология позволила создавать чипы с миллиардами транзисторов. С годами они становились всё меньше, расстояние между истоком и стоком сокращалось, за счёт чего росла производительность электроники (закон Мура).

Несмотря на перечисленные недостатки, электронные лампы обладают определёнными преимуществами перед транзисторами: сам по себе вакуум — это лучшая среда для передачи электрона, чем твёрдое тело, где возникают помехи из-за столкновения электронов с атомами материала, шумы и искажения. К тому же, радиолампы более устойчивы к радиационным повреждениям.

Если в обычных транзисторах использовать вакуум, то удалось бы совместить преимущества обеих технологий. Теоретически, вакуумный транзистор может работать на терагерцовых частотах, на порядок быстрее существующих кремниевых аналогов. Сотрудники исследовательского центра NASA Ames давно экспериментируют в этом направлении. Им удалось добиться довольно многообещающих результатов, пишет IEEE Spectrum.

Кремниевые микросхемы подошли к физическим пределам миниатюризации, и сейчас рассматривается несколько направлений дальнейшего развития технологии: углеродные нанотрубки, графен, нанопровода и проч. Вакуум-канальный транзистор (vacuum-channel transistor) дополняет этот список.



В радиолампе электронная нить, похожая на нить в лампе накаливания, нагревает катод до такой степени, что тот испускает электроны. Такая конструкция — причина высокого энергопотребления и низкой надёжности радиоламп, которые часто выгорают. Но в вакуум-канальном транзисторе отсутствует нить накаливания, и катод не нужно нагревать.

Если устройство сделать миниатюрного размера, то становится возможна автоэлектронная эмиссия под действием внешнего электрического поля без предварительного возбуждения электронов.

Проблему с наличием чистого вакуума под давлением инженеры NASA Ames решили, сократив расстояние между катодом и анодом настолько, что оно становится меньше, чем длина свободного пробега электрона, прежде чем он столкнётся с молекулой газа. При нормальном атмосферном давлении длина свободного пробега электрона составляет около 200 нм. А если использовать гелий, то она увеличивается до 1 мкм. При достаточно низком напряжении у электронов не хватит энергии, чтобы ионизировать гелий, так что деградации катода не происходит.

В прототипе вакуумного транзистора NASA Ames для управления транзистором используется стандартный затвор из диоксида кремния, как в MOSFET.

«Хотя наша работа пока находится на ранней стадии, мы считаем, что сделанные нами улучшения в конструкции вакуум-канальных транзисторов могут когда-нибудь оказать значительное влияние на электронную промышленность, особенно в приложениях, где важна производительность, — пишут исследователи. — Наш первый прототип работает на частоте 460 гигагерц, это примерно в 10 раз выше, чем лучший кремниевый транзистор».

Инженеры считают, что именно вакуумный транзистор первым сможет преодолеть рубеж 1 терагерц.



Правда, придётся решить несколько проблем, в том числе с энергопотреблением. Вакуумный транзистор NASA Ames работает от напряжения 10 вольт. Нужно ещё и найти способ размещения множества вакуумных транзисторов на одной микросхеме.
Анатолий Ализар @alizar
карма
681,6
рейтинг 648,3
Редактор «Гиктаймс»
Реклама помогает поддерживать и развивать наши сервисы

Подробнее
Реклама

Самое читаемое

Комментарии (93)

  • НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
    • +121
      Лампы: перерождение
      • +14
        Возвращение советского процессора из анекдота
        • +3
          Из какого анекдота?
          • +22
            Проходит выставка по достижениям в компьютерной технике. Представлены новейшие процессоры от Intel, AMD, а так же впервые процессор Зеленоградского НПО «Электроника». Процессоры проходят тестирование по всем параметрам, и везде лидирует отечественное изделие. Эксперты в шоке. Приносят мощный микроскоп, кладут процессор. Один эксперт заглядывает в окуляры и через секунду падает в обморок. Его коллега заглядывает и тоже падает в обморок. Комиссия в недоумении. Третий эксперт долго смотрит в микроскоп, а потом, заикаясь, произносит:

            — Вы не поверите! Он ламповый!
    • +1
      Если удастся решить все проблемы, то это начало новой гонки за количество мегагерц в процессоре.
      • +14
        … терагерц
      • +4
        К сожалению нет — процессоры на современных техпроцессах тормозят в первую очередь из-за соединений между транзисторами, а не из-за скорости работы самих транзисторов. Чем тоньше и плотнее упакованы соединения — тем больше взаимная емкость и выше сопротивление => медленнее перезаряд (а еще и индуктивность...).

        Сами CMOS транзисторы и сейчас работают намного быстрее 4 и даже 10ГГц.
        • 0
          На последней инфографике так и написано — максимальная частота кремниевых транзисторов — 40ГГц, максимально достигнутая частота экспериментальных образцов графеновых транзисторов — 100ГГц, максимально достигнутая частота экспериментального образца вакуумного транзистора — 460ГГц,
          • 0
            Арсенид галлия почему-то не нарисовали.
            • +2
              вот же image
              • 0
                Они по-любому что-то знают
                image
          • 0
            В статье напирают, про недоступность ТГц частот для кремния, тем не менее:
            процессор 1ТГц Terahertz Monolithic Integrated Circuit (TMIC) от Northrop Grumman
            http://www.dailytechinfo.org/electronics/6407-skorost-samogo-bystrogo-v-mire-chipa-sostavila-1-trillion-ciklov-v-sekundu.html
        • +1
          Именно так!
          Быстродействие транзистора это совсем не значит тактовая частота чипа. И кроме индуктивностей и емкостей межсоединений (на часттах > 10ГГц) имеют еще место задержки распространения сигнала по линиям межсоединений. Все это вместе и ограничивает дальнейший рост тактовых частот процессоров.
          Но данное решение позволит работать с сигналами терагерцового диапазона в радиосвязи. А при использовании оптических связей возможно и применение их в цифровой технике.
          Однако можно однозначно говорить, что цифровая техника с применением подобных устройств может измениться неузнаваемо!
          • +1
            Подвижность носителей заряда и время релаксации — вот что оказывает ключевое влияние. А всё остальое не так уж существенно. В аналоговой схемотехнике уже как лет 25 отказались от кремния в пользу германия и арсенида галия в мелкосхемах. Помню в 90-х было интересное начинание отечественных электронщиков. Серия ИМС 6500. Шедевр даже по нынешним временам: чип на основе арсенида галлия, ключевой элемент переключатель тока (дифференциальная пара) на базе полевого транзистора с барьером Шоттки. Хоть статью отдельную пиши… ОЗУ на её базе спокойно работала на частоте 1ГГЦ, причём это был 1995 г. Из недостатков были только особенность многополярного питания и повышенное тепловыделение. Но как показывает практика, с этим легко можно бороться. Если бы только хоть как-то вернули эту технологию к жизни. Задел на будущее неплохой.
            • 0
              Но! Только, если говорить о самом транзисторе!
              Когда все это упаковывается в кристалл размерами более длины волны первой гармоники (>1-5 см) начинает проявляться и то о чем я писал. На больших платах это выглядит в виде зигзага из проводников и нужно для синхронизации времени прихода сигнала к узлу. На кристалле это недопустимая роскошь.
              А нагрев, о котором Вы пишите, вызван именно эквивалентными параметрами транзисторов (в частности Свх, Свых и временем переключения). И с ними не так просто бороться (это показывает современная практика процессоров). Охлаждение сложных структур это достаточно сложная проблема…
              • 0
                Вообще калорифером он работает потому как пашет в режиме работы А, а может быть даже и АА. По сравнению с этим эквивалентные потери — капля в море. Да, из-за задержек, связанных с перезарядкой паразитных емкостей, транзистор приходится держать приоткрытым (реж. работы А). Он даже не в режиме ключа работает, а как усилитель. Насколько помню, максимум КПД, который можно выжать из прибора в режиме работы А, состовляет 25%. Остальное нагрев.
                А что касается всех этих соотношений с длиной волны, то ничего страшного, ну отразится часть сигнала обратно. Что с того? Полетит часть энергии обратно к источнику и сдохнет на его малом выходном сопротивлении. Только какую часть эта энергия состовляет по сравнению с той, которая идёт на поддержание работы транзистора в режиме усиления.
                • 0
                  К сожалению Вы не слышите!
                  Я сказал, что все это относится только к транзистору обрабатывающему аналоговый сигнал!
                  При работе комплементарных ключей (в процессорах и дискретной логике) все иначе.
                  • 0
                    Отчего же? Сами интеловцы когда-то писали об этом. Там уже давно ВЧ часть молотит в режиме А. Комплементарная пара в режиме А, что здесь такого? И никакого отношения к аналоговой схемотехнике. В своё время наши применили этот подход в ЭСЛ и ИСЛ-логике. Там переключатель тока на базе дифференциального каскада молотил в режиме А. Иначе обратные выбросы, задержки на перезарядку паразитный емкостей и рассасывание заряда неосновных носителей. Ну ещё стоит ещё один момент: один из недостатков МОП-транзистора — то что на СВЧ он греется сильней биполярного.
                    • 0
                      Чистая теория. Это было давно, сейчас стало понятно, что при достижении некоторых предельных значений начинают работать и другие факторы. Это как раз подтверждается и тем, что быстродействие транзисторов в процессорах Интел растет, а тактовая частота процессоров больше не растет.
                      Вообще — то, понятие режимов A, B, C применяются для аналоговой (усилительной) техники. Для импульсной техники (цифровой) было введено понятие режим D.
                      Рекомендую достаточно простую книгу по теории транзисторов и схем на них «И.П. Степаненко Основы теории транзисторов и транзисторных схем». Она должна быть настольной книгой каждого электронщика.
                      • 0
                        Для импульсной техники (цифровой) было введено понятие режим D

                        Обратите внимание на первый абзац
                        Мысль следующая: работа ключа с отсечкой канала довольно времязатратна; из режима насыщения ключ тоже не быстро возвращается.
                        Если ещё обратить внимание на субмикронные размеры самого ключа, то можно представить как мало расстояние между стоком и истоком, как следствие ток утечки есть и не слабый (относительно рабочего), а чтобы его убавить, надо принимать какие-то конструктивные меры или подавать запирающее напряжение (а где его взять-то?). Сами интеловцы признают, что основные патери приходятся на токи утечки.
                        Ну квадратичная зависимость энергопотребления от частоты у МОП-транзистора никуда не девалась. Подробней в "Главные недостатки полевых транзисторов"
                        • 0
                          Сами интеловцы признают, что основные патери приходятся на токи утечки

                          Вы не совсем правильно понимаете ситуацию.
                          Интел пишет о токах утечки затвора.
                          Ток утечки канала определяется его расчетными параметрами (полупроводника) и однозначно ограничивается при проектировании.
                          квадратичная зависимость энергопотребления от частоты у МОП-транзистора никуда не девалась

                          Зависимость энергопотребления комплиментарного МОП ключа от частоты прямо пропорциональная и это можно узнать из приведенной ранее книги И.П. Степаненко.
                          Если Вам больше по душе интернет то это есть и тут.
                          Это от напряжения зависимость энергопотребления квадратичная.
                          • 0
                            Вы не совсем правильно понимаете ситуацию.
                            Интел пишет о токах утечки затвора.

                            Пишут окоянные, что основные потери приходятся на токи утечки. Поискал по точнее, что же это за такие токи, какого рода и вообще чем вызваны. Ничего. Извесно только что они есть и существенные. Углубляться сильно не стал. Много маркетинговой шелухи.
                      • 0
                        Самое интересное — как умудряется IBM разгонять до до 5 ГГц свои Power 8?
                        • +1
                          Только оптимизацией структуры процессора (КМОП структур). Но выше разгоняют только оверклокеры охлаждая процессоры жидким азотом. Потому что тепловыделение начинает расти нелинейно, но не из-за роста частоты, а из-за роста напряжения питания. Напряжение питания вынуждены поднимать для увеличения помехоустойчивости и соответственно работоспособности процессора.
                          • 0
                            Стить отметить, что у «голубой мамы» тех процесс для Power 8 аналогичен интеловскому — 22 нм. Частоты в 4 ГГц и в 5ГГц являются рабочими. Процессоры относятся к серверному высокопроизводительному семейству. Значит, порог у которого стоит интел преодолим. Но в основном наблюдается борьба с энергопотреблением и и наращивание числа транзисторов на чипе.
                        • 0
                          Спуститесь ниже: AMD FX-9590 5ГГц
                          http://oclab.ru/articles/obzor-i-testirovanie-protsessora-amd-fx-9590
                          можно купить с 2013 года.
      • 0
        И за это нужно выпить.
      • 0
        Давеча нам подобное сулили на графене. Затем уже на двумерном олове. Сейчас вот на этом. Хотя уже давно в этом диаппазоне работают АЦП и контроллеры на т. н. токовых переключателях, на сверхпроводниках. Что касается вентилей сверхпроводниках, то их море
    • +102
      Через 10 лет ожидайте мобильников с процессорами в 10^12 герц. К сожалению батарею они будут высаживать так же за 1/2 дня и врядли будут работать быстрее из-за новой версии явы.
      • –89
        Высер по поводу java немного неадекватно смотрится.
        • +28
          Как шутка — смотрится отлично.
        • +38
          Баттхёрт уж точно неадекватно смотрится.
          • –2
            И слово «Баттхёрт » тоже.
        • 0
          Объясняю: дело не в том, что см язык Java тут причём-то, и даже не в том что JVM и сопутствующие библиотеки в чём-то провинились. Дело больше всего в том, что общество java-программистов такое, что софт каким-то неведаным магическим образом получается в среднем всё ресурсозатратнее и ресурсозатратнее без ощутимой пользы.
    • НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
      • +3
        Спрашивают то, что не знают

        В вашем случае вы спросили то, что не осилили прочитать.
        • НЛО прилетело и опубликовало эту надпись здесь
          • 0
            Вы немного промахнулись. На строчку выше:
            Хотя наша работа пока находится на ранней стадии, мы считаем, что сделанные нами улучшения в конструкции вакуум-канальных транзисторов могут когда-нибудь оказать значительное влияние на электронную промышленность, особенно в приложениях, где важна производительность


            И что я из этого должен понять?

            Берём приложение А (нужное подставьте сами), требующее колоссальных вычислений, запускаем его на компьютере с процессором на вакуумных транзисторах, получаем прирост производительности в n раз (нужное подставьте сами) по сравнению с процессором на полевых транзисторах.
            • 0
              запускаем его на компьютере с процессором на вакуумных транзисторах, получаем прирост производительности в n раз

              и всё равно не понятно.
              как новый суперскоростной транзистор сможет увеличить скорость чипов?
              почему чип на новых транзисторах, которые могут работать на более высокой частоте, должен работать на более высокой частоте?
              • 0
                Потому что завтра придумают новый способ соединения транзисторов в чипах, позволяющий достичь пределов существующих транзисторов в 40Ггц. Над этим уже долго и упорно работают. И всё упрётся в производительность кремния. А тут вам уже запас скорости на много лет вперёд. В ближайшие пару десятков лет мы вряд ли это увидим в быту. Но фантазировать никто не запрещал.
                • 0
                  вот когда придумают, тогда и будем фантазировать, да и проблема не только в соединениях.
                  а пока транзисторы значительно быстрее чем чипы
  • +20
    Теплый, ламповый…
    • +14
      … транзистор!
    • +2
      Не, не теплый
      Если устройство сделать миниатюрного размера, то становится возможна автоэлектронная эмиссия под действием внешнего электрического поля без предварительного возбуждения электронов.
  • 0
    Сингулярность, шаг 1.

    Вот мы (NASA) и шагнуло в сторону x10 от обычного транзистора… что ж, будем верить что скоро будут первые реальные устройства слепленные по технологии VCT
    • +3
      Как по мне так сингулярность это дело на 99,(9)% программы, а не физических мощностей.
  • +1
    Интересно… Еще несколько лет назад читал что-то такое (что-то вроде этого: линк). Прескорбно, что разработки не продвинулись дальше.
  • +10
    -Ну вот опять планка памяти разгерметизировалась, я же говорил не бери китайскую!
    • +10
      Ремонту не подлежит в связи с прекращением поставок вакуума производителем.
      • +7
        Вакуум не той консистенции. Жиже.
        • +1
          Или наоборот загустел от старости
  • +2
    … возможно снова войдет в обиход фраза — «у меня компьютер не разогрелся», «сейчас комп разогреется — FPS поднимется»…
    • +1
      В радиолампе электронная нить, похожая на нить в лампе накаливания, нагревает катод до такой степени, что тот испускает электроны. Такая конструкция — причина высокого энергопотребления и низкой надёжности радиоламп, которые часто выгорают. Но в вакуум-канальном транзисторе отсутствует нить накаливания, и катод не нужно нагревать.

      Читайте внимательнее :)
      • +3
        Во время автоэлектронной эмиссии катод разогревается из-за разницы между средней энергией электронов подходящих к поверхности катода, и средней энергией электронов уходящих сквозь потенциальный барьер. Данное явление называют эффектом Ноттингема
        (с) Вики
        Ссылка была в статье
  • +4
    Ну собственно ожидаемый желтый заголовок не имеет ничего общего словами авторов работы, которые говорят что их лампы могут работать в террагерцовом диапазоне, при условии что он представляет собой частоты от 0.1 ТГц до 10 ТГц. alizar такой alizar
  • 0
    Объясните, чем тут проблема деградации катода принципиально отличается от такой же в FED(SED) дисплеях, разработка которых после долгих мучений была свёрнута?
    • +1
      В fed дисплеях достаточно большое расстояние между анодом и катодом. И высокое напряжение. Соответственно, будет происходить ионизация остаточных газов. Ион разгоняется напряжением, и ударяет в катод, от чео катод постепенно разрушается.

      В этом транзисторе, расстояние между катодом и анодом меньше длины свободного пробега электрона, т.е электроны будут пролетать не сталкиваясь с молекулами газа.
      А напряжение ниже порога ионизации, т.е когда электрон таки столкнется с молекулой газа, газ не ионизируется. А нейтральный газ полем не разгоняется и катод не бомбардирует
      • +1
        Т.е. принципиальная проблема FED — высокое напряжение и большое расстояние и именно это так и не смогли побороть?
        • 0
          Точнее сказать геометрические размеры: автоэлектронная эмиссия требует довольно значительных макроскопических полей (1-100V/um в зависимости от материала) и острийного катода. То есть мы имеем точечный, ммикроскопический источник электронов. Для дисплея нужно чтобы электроны разлетались на размер 'пикселя'. Поэтому требуется сравнимое с размером пикселя расстояние между электродами, т.е десятки микрон. И соответственно высокой напряжение.
          • 0
            Разве эта проблема с единственным источником на пиксель была не в SED? Насколько я помню из-за неё и перешли на поля источников в FED, что позволило понизить напряжение, уменьшить размеры и существенно продлить время деградации катода?
  • +6
    Уронил ноут — разбил лампы.
    • –1
      С такими размерами лампы — вряд ли.
  • +2
    Круг замкнулся.
    • +4
      Спираль дальше пошла крутится, потом снова вернутся к транзисторам, но в другой реинкарнации.
  • 0
    В данном случае не вижу связи между напряжением и энергопотреблением.
  • +16
    > Проблему с наличием чистого вакуума под давлением инженеры NASA Ames решили

    Чистый вакуум под давлением? Вау!
    Из литра чистого вакуума можно сделать два литра еще более чистого вакуума.
    • 0
      Положите ваш вакуум в банк и получите 100% годовых!
    • +7
      По определению вакуум — это когда длина свободного пробега частиц сравнима с размерами сосуда. Можно сказать, что это даже высокий вакуум. Так что для его достижения существует два пути: уменьшать количество частиц или уменьшать размеры сосуда. Все верно.
    • 0
      del
  • +19
    кремниевые транзисторы (MOSFET)

    узнай автора по первому предложению…
    • 0
      а разве MOSFET не кремниевые?
      • +3
        С одной стороны они, обычно, кремниевые. А с другой — металлические
        А с другой:
        * MOSFET это в первую очередь полевой транзистор с изолированным затвором
        * MOSFET это лишь подмножество полевых транзисторов (которое, в свою очередь, является подмножеством транзисторов)
        И ставить равенство между кремниевыми транзисторами и MOSFET как-то не правильно.

        Также возникает вопрос почему в статье рассматриваются только кремниевые транзисторы.
        • 0
          Транзисторы все еще делают на кремнии, а конкретно MOSFET — это конструкция транзистора, способ воплощения управляемого вентиля на кристалле. Он по прежнему как и биполярный остается кремниевым.
          В то время как биполярные могут делать из германия и арсенида галлия полевые пока делают только из кремния. Вроде бы, собрались делать из углерода… но когда это еще будет.
          • 0
            У меня нет информации о применимости германия и арсенида галлия в MOSFET'ах (если у кого-нибудь есть — был бы признателен ссылке).
            Мой спич немного не за это. А за то, что фраза «кремниевые транзисторы (MOSFET)» не имеет однозначной трактовки. Так все-таки кремниевые транзисторы или MOSFET'ы «полностью заменили радиолампы»?

            И вот мне Rayslava из зала подсказывает, что первое предложение в целом — ЛПП.
            * Патент США MOSFET transistor and method of fabrication датирован October 19, 1976 — какая уж тут половина 20 века?
            * СВЧ-печь, радиолокатор (и вообще техника с клистронами) — являются электронными устройствами?
            * или вот банальные [гитарные] усилители

            (еще раз обращаю внимание на излишне категоричный тон первого предложения статьи)
            • 0
              Аббревиатура MOSFET определяет только конструкцию транзистора, но не материал из которого его изготавливают. Кремний нынче очень популярен, транзисторы делают именно из него. Логично было бы называть современные полевые транзисторы именно кремниевыми.
              • 0
                Но называть кремниевые транзисторы — MOSFET'ами — не логично.
        • 0
          * MOSFET это в первую очередь полевой транзистор с изолированным затвором
          и с индуцированным каналом (нормально закрытый) — это важно. Т. к. есть МОП транзисторы со встроенным каналом (нормально открытые). Они побыстрей будут, но и дороже.
          Также возникает вопрос почему в статье рассматриваются только кремниевые транзисторы.
          Кремний, есть такой термин, очень технологичен сам по себе, технологии отработанны десятилениями, построенные FAB-ы под другой техроцесс переделать крайне дорого, если только это возможно. Например, есть сигнальные процессоры на основе арсенида галлия, которые преспокойно молотят на гигагерцах без дополнительного охлаждения, но это сугубо нишевых продукт — обработка сигналов. А полученную после него цифру уже обрабатывает кремневый собрат. Тут как с ДВС, который уже морально устарел как лет 70, но пока не сдаётся.
          • 0
            Самое интересное, что это все (вакуумный транзистор) можно реализовать «почти» в рамках отработанного кремниевого техпроцесса, без экзотических материалов типа двумерных кристаллов и нанотрубок.
            Подводные камни тут такие: при полях, в которых возникает автоэлектронная эмиссия, очень активно идет электромиграция. Значит, такой транзистор будет недолговечен. Второе — тот самый «чистый вакуум». Да, малое расстояние между катодом и анодом позволяет такой «лампе» работать практически при атмосферном давлении, но есть момент, связанный с адсорбцией. При атмосферном давлении монослой на поверхности образуется мгновенно, а при давлениях, характерных для электровакуумных приборов — за секунды-минуты. А этот монослой полностью нарушит работу транзистора.
      • 0
        Если по нашенски, то это металл-оксид-полупроводник. Всё. В качестве металла в основном алюминий, если что его можно «покислить» — корунд очень хороший диэлектрик. Но бывает и медь, и серебро, и золото. Оксид обычно из оксисленного полупроводника, который кремний. Но полупроводником может быть карбид кремния или даже арсенид галлия, хотя МОП-ы на нём никогда не встречал.
  • +7
    Закон Мура — эмпирическое наблюдение, согласно которому количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 24 месяца.
    Он скорее о литографии чем о производительности.
  • +2
    Да на терагерцовых лампах, да гитарный усилитель бы… звук точно был бы божественен!
    • 0
      … Только вы бы его не услышали. Терагецы все-таки. Такое даже на осциллографе нельзя рассмотреть.
      • +8
        Еще поднять частоту в пару сотен раз — и это можно будет увидеть.
        • +1
          Главное — почувствовать. Тёплый ламповый звук.
          • 0
            Нужен инфракрасный генератор.
            • 0
              пара сотен терагерц сделают это сами
      • 0
        Еще чуть-чуть и можно будет увидеть!
  • 0
    Интересно, будет ли как-то на это влиять Эффект Казимира?
  • –7
    Несколько месяцев назад наткнулся на аналогичный материал от наших ученых:
    Видео длится пол часа, но чтобы понять о чем речь, достаточно посмотреть минут 10.
    И вот теперь, в России эти разработки блокируют не нужны, но они обретают новую жизнь за границей.
    • +7
      чтобы понять о чем речь, достаточно посмотреть минут 10.

      На третьей секунде понятно уже всё.
      • 0
        Справедливости ради, на 50 секунде есть слова про автоэлектронную эмиссию, при этом. как обычно «не имеет аналогов» и тут же иностранное слово FED :-)
        На самом деле, источник, конечно, имеет специфическую славу, но зачастую бывают интересные моменты, представленные участниками их «репортажей».
        • 0
          А я видео с интересом посмотрел, не знаю за что заминусовали человека. И финансирование от Роснано они пытались получить.

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.